一种CMOS带隙基准电压源设计

摘要：

为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求,设计一种带隙基准电压源电路.在对传统带隙基准结构分析的基础上,该电路重点改善基准源中运算放大器的性能,采用台积电0.35μm CMOS工艺库设计并绘制版图.仿真结果表明,温度在0～100℃之间变化时,该电路输出电压的温度系数小于10 ppm/℃,并且具有低功耗、高电源抑制比的特性.

关键词：CMOS、带隙基准、低温度系数、电源抑制比

所属期刊栏目：31

分类号：TN710(基本电子电路)

在线出版日期：2008-05-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：4-5,8