一种全MOS管结构低压低功耗电压基准源的设计

摘要：

提出了一种全MOS管结构的低压低功耗电压基准源,他利用一个工作在亚阈值区的MOS管具有负温度特性的栅-源电压与一对工作在亚阈值区的MOS管所产生的具有正温度特性的电压差进行补偿.电路采用标准的0.6 μmCMOS工艺设计,已成功应用于一个低压差线性稳压器(LDO)中,具有优良的温度稳定性,在-40～+120 ℃范围内能达到37.4 ppm/℃,并可以在供电电压为1.4～5.5 V下工作,其总电流仅为4 μA.

关键词：电压基准、亚阈值区、低压低功耗、MOS管

所属期刊栏目：31

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2008-04-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：156-158