一种改进的BiCMOS工艺欠压锁存电路的设计

摘要：

针对DC-DC电源管理芯片中所必需的欠压锁存功能,利用带隙基准电压源的原理,提出一种新的改进的UV-LO(欠压锁存)电路的设计,实现了欠压锁存的阈值点和迟滞量,成功地实现了欠压锁存电路的预定功能.基于0.6μm BiCMOS工艺,HSpice软件仿真的结果表明所设计的UVLO电路具有结构简单、温度漂移小、功耗低等特点,性能有很大改善,满足了芯片的需要.

关键词：欠压锁存、带隙基准、滞回区间、BiCMOS

所属期刊栏目：30

分类号：TN432(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：陕西省西安-美国应用材料创新基金ZX05097-XA-AM-200514

在线出版日期：2008-03-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：182-184