10.3969/j.issn.1004-373X.2007.22.060
一个低压高阶曲率补偿的CMOS带隙基准电压源的设计
运用带隙基准的基本原理,采用0.6μm的CMOS工艺,对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究,并结合所提出电路给出了高阶曲率补偿的数学表达式.Cadence软件仿真结果显示:电源电压最低可为1.2 V,在-20~100℃温度范围内,输出电压为0.6 V,温度系数为9.1 ppm/℃,即基准输出电压随温度变化不超过士0.1%.低频(f=1 kHz)时PSRR为-78 dB.在室温电源电压为1.2 V时总功耗约为38 μW.整个带隙基准电压源具有良好的综合性能.
CMOS带隙基准电压源、高阶曲率补偿、低温度系数、低电源电压
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TN432(微电子学、集成电路(IC))
2008-01-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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