利用ISE-TCAD分析和设计SCR结构的片上静电保护电路

摘要：

传统的片上静电放电(ESD)保护电路设计主要基于尝试性和破坏性的实验,这种方法不利于产品的推出[1].提出使用ISE-TCAD工具对ESD保护电路进行模拟和优化,以快速地获取面积参数.并以某一典型0.6 μm CMOS工艺的可控硅整流器(SCR)结构为例,进行ESD人体放电模型的模拟和面积估算,达到了缩短设计周期,和增加设计成功率的目的.

关键词：片上静电保护、CMOS、SCR、ISE-TCAD

所属期刊栏目：30

分类号：TN431.2(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2007-12-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：29-32