10.3969/j.issn.1004-373X.2007.15.055
利用TSUPREM-4对低压VDMOS进行虚拟制造
介绍了低压VDMOS的结构和各个参数及相互间的关系,并按TSUPREM-4工艺仿真软件的工艺流程顺序给出了各步工艺的设计思路、方法、注意事项.对外延层厚度进行了计算,并用该软件实现了耐压55 V,导通电阻11 MΩ的低压VDMOS器件结构的工艺设计,绘出了仿真结构图.
低压VDMOS、TSUPREM-4、工艺模拟、导通电阻
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TN386(半导体技术)
2007-09-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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