0.65 V 3 mW CMOS低噪声放大器设计

摘要：

给出了工作电压为0.65 V,功耗仅为3 mW的低噪声放大器设计.设计采用TSMC 0.18 μm RF CMOS工艺完成.最终的电路仿真结果显示,在0.65 V的电源电压下,S21达到17 dB,S11小于-11 dB,噪声系数小于2.2 dB,线性度指标IIP3为-11.6 dBm.

关键词：低电压、低功耗、低噪声放大器、CMOS

所属期刊栏目：30

分类号：TN72(基本电子电路)

在线出版日期：2007-09-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：104-106