基于ARM9内核Processor对外部NAND FLASH的控制实现

摘要：

目前流行的ARM9 CPU中,没有集成NAND FLASH的控制器,可以通过使用NOR FLASH的控制器或者VLIO的控制器,实现对外部NAND FLASH的控制.实测结果显示,用8 b I/O的NAND FLASH,在文件系统下读/写的速度为3 MB/s,擦除的速度为65 MB/s,满足现在流行手持设备对Memory的要求.

机标关键词：内核、控制实现、控制器、文件系统、实测结果、显示、手持、设备、集成

所属期刊栏目：30

分类号：TP333(计算技术、计算机技术)

在线出版日期：2007-07-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：186-188