10.3969/j.issn.1004-373X.2006.23.046
体硅高压LDMOS器件电学特性温度效应的研究
从等温和非等温两个角度,在250 K~573 K(-23℃~300℃)范围内,对体硅高压LDMOS的主要电学参数随温度的变化进行了研究.系统地研究了体硅高压LDMOS阈值电压、导通电阻和饱和电流等主要电学参数的温度效应及其机理.
体硅LDMOS、等温、非等温、负阻效应
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TP333.5+2(计算技术、计算机技术)
2006-12-25(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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