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10.3969/j.issn.1004-373X.2006.16.043

一个1.2 V,9 ppm/℃的CMOS带隙电压基准源

引用
基于传统CMOS带隙电压基准源电路的分析,结合曲率补偿技术设计了一种带衬底驱动运算放大器的低电源电压的电压基准源电路,主体电路采用电流模式基准源结构,并结合所采用的衬底驱动运放作为基准源的负反馈运放.整个电路采用0.5 μm标准CMOS工艺实现,在电源电压1.2 V的条件下用HSpice进行仿真,仿真结果表明输出基准电压在-40~120 ℃范围内温度系数为9 ppm/℃.

CMOS、衬底驱动、低压、曲率补偿、电压基准源

29

TN702(基本电子电路)

2006-09-11(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

120-122,125

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1004-373X

61-1224/TN

29

2006,29(16)

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