10.3969/j.issn.1004-373X.2006.12.052
微机械可变电容制作工艺中的牺牲层释放和残余应力分析
运用高选择比的特别配方来释放MEMS可变电容制作工艺中的牺牲层,以保护上级板金属铝层,同时很好地释放牺牲层磷硅玻璃.探讨了上级板的粘附问题,对工艺中影响成品率的关键因素残余应力进行了模拟,当温度T为350 ℃时,平面应力P为811.6 MPa;当温度T为500 ℃时,平面应力P为1 185.9 MPa.分析了残余应力对上级板的影响和对悬臂梁的等效弹性系数的影响.
MEMS可变电容、牺牲层释放工艺、残余应力、磷硅玻璃
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TN0(一般性问题)
2006-07-07(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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