高压功率MOSFET结终端保护技术及其组合优化设计

摘要：

场板与场限环是用来提高功率MOSFET抗电压击穿能力的常用结终端保护技术,文章将分别介绍场板与场限环结终端保护技术各自的特点和耐压敏感参数,通过场板和场限环的互补组合来优化设计一款高耐压的VDMOS器件结构,最后采用ATHENA(工艺模拟)和ATLAS(器件模拟)工具来仿真验证优化设计的结果.

关键词：高压、功率MOSFET、结终端保护、场板、场限环

所属期刊栏目：29

分类号：TN323+.4(半导体技术)

资助基金：国家"火炬计划"205EB010933;福建省自然科学基金A0410007;福建省厦门市科技计划

在线出版日期：2006-06-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：71-74,78