CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法
万方数据知识服务平台
应用市场
我的应用
会员HOT
万方期刊
×

点击收藏,不怕下次找不到~

@万方数据
会员HOT

期刊专题

10.3969/j.issn.1004-373X.2006.05.049

CMOS带隙基准电压源中的曲率校正方法

引用
基准电压源是集成电路系统中一个非常重要的构成单元.结合近年来的设计经验,首先给出了带隙基准源曲率产生的主要原因,而后介绍了在高性能CMOS带隙基准电压源中所广泛采用的几种曲率校正方法.给出并分析了一些近年来采用曲率校正方法的CMOS带隙基准电压源核心电路以及他们的设计原理、理论推导、参考电路和特点.最后,对于所讨论的基准源电路进行了性能比较和优缺点分析.

CMOS、带隙基准源、曲率校正、集成电路

29

TN432(微电子学、集成电路(IC))

2006-04-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

113-116

相关文献
评论
暂无封面信息
查看本期封面目录

现代电子技术

1004-373X

61-1224/TN

29

2006,29(5)

相关作者
相关机构

专业内容知识聚合服务平台

国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”

国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304

©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1

信息网络传播视听节目许可证 许可证号:0108284

网络出版服务许可证:(总)网出证(京)字096号

违法和不良信息举报电话:4000115888    举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn

举报专区:https://www.12377.cn/

客服邮箱:op@wanfangdata.com.cn