CMOS电路中抗Latch-up的保护环结构研究

摘要：

闩锁是CMOS集成电路中的一种寄生效应,这种PNPN结构一旦被触发,从电源到地会产生大电流,导致整个芯片的失效.针对芯片在实际测试中发现的闩锁问题,介绍了闩锁的测试方法,并且利用软件Tsuprem4和Medici模拟整个失效过程,在对2类保护环(多子环/少子环)作用的分析,以及各种保护结构的模拟基础之上,通过对比触发电压和电流,得到一种最优的抗Latch-up版图设计方法,通过进一步的流片、测试,解决了芯片中的闩锁失效问题,验证了这种结构的有效性.

关键词：寄生双极型晶体管、保护环、闩锁、CMOS集成电路

所属期刊栏目：29

分类号：TN406(微电子学、集成电路（IC）)

在线出版日期：2006-03-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：109-111