ICP源MOSFET射频振荡器

摘要：

介绍了ICP(感应耦合等离子体)C类射频振荡器的设计和调试结果.低温等离子体的应用已经非常广泛.以感应耦合方式将射频能量送入中性气体中激发等离子体,已经成为重要的等离子体源类型之一.传统的功率射频发生器大多使用电子管,体积大,也比较笨重.在射频发生器和等离子体装置之间需要设置射频传输线和匹配箱.以MOSFET代替传统的电子管作为有源器件组成的振荡器,体积很小,可以与等离子体源直接连接,省去了射频传输线和传输线终端的匹配箱.振荡器的频率为13.56 MHz,输出功率为200 W.试验结果达到了设计要求.

关键词：ICP、MOSFET、射频振荡器、等离子体

所属期刊栏目：28

分类号：TN752.2(基本电子电路)

在线出版日期：2006-01-05（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：1-2,4