ICP-MS检测多晶硅基体中痕量元素分析的影响因素与控制措施

摘要：

高纯多晶硅中的痕量杂质能够影响多晶硅的少子寿命,影响多晶硅的光学电学性能,所以,检测控制多晶硅中痕量杂质是保证多晶硅质量的重要指标.为保证高纯多晶硅中痕量元素的检测准确性,对实验过程中涉及到的水、容器、温湿度等因素进行研究,以确定这些因素的影响.结果表明:使用聚四氟乙烯材质的容器能够降低空白值,使用Milli-Q制水机制出的超纯水中的杂质比厂区生产的纯水低等.同时,对实验容器的清洗,溶剂的选择,人员的优化提出了相应的控制措施,确保所用的器皿、试剂等不受污染,尽量减小空白值.

关键词：高纯多晶硅、痕量元素、控制措施

所属期刊栏目：25

分类号：O657.63(分析化学)

在线出版日期：2017-12-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：34-36