10.3969/j.issn.1673-8764.2006.03.005
半导体激光器的高精度温度控制优化设计
温度对半导体激光器(LD)发射器的特性有较大的影响,随着温度的增加,阈值电流呈指数增加,输出功率和斜率分别呈抛物线和指数关系递减,同时特征温度也减少,波长随温度的漂移系数为0.24nm/℃[1].为了使半导体激光器的激光波长和输出功率稳定,必须对其温度进行高精度的控制.利用积分分离式PID控制原理设计了温度控制系统,控制精度达到±0.1℃,与普通PID控制器相比,极大的提高了系统的瞬态特性.
半导体激光器、温度控制、PID控制、瞬态特性
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TP272(自动化技术及设备)
2006-06-15(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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