日本开发成功高质量p型氧化锌单晶基板
@@ 日本九州工业大学的中尾基副教授和日本COLMO公司成功开发出高质量、低成本制备氧化锌晶片的技术.首先利用硅基板上的碳化硅缓冲层制作n型氧化锌单晶薄膜基板,然后用CVD法在基板上沉积p型氧化锌单晶薄膜.
日本、高质量、氧化锌单晶薄膜、薄膜基板、成功开发、碳化硅、缓冲层、硅基板、低成本、CVD法、制作、制备、晶片、教授、技术、公司、工业、大学、沉积
TN3;O47
2010-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
3-5
点击收藏,不怕下次找不到~
日本、高质量、氧化锌单晶薄膜、薄膜基板、成功开发、碳化硅、缓冲层、硅基板、低成本、CVD法、制作、制备、晶片、教授、技术、公司、工业、大学、沉积
TN3;O47
2010-12-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
3-5
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn