用于先进存储技术的互连边缘处的可靠性

摘要：

@@ 随着元件尺寸的不断缩小和新材料的不断出现,DRAM和闪存芯片中互连的绝缘可靠性需要重新评估.刻线边缘粗糙度(line edge roughness,LER)和通路的非直线性增加了金属线之间的电场.

机标关键词：存储技术、互连、刻线边缘粗糙度、重新评估、闪存芯片、非直线性、性需要、新材料、线之间、元件、通路、绝缘、金属、电场、DRAM

分类号：TH1;TG8

在线出版日期：2010-12-13（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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