32nm及其以后工艺代的HK+MG的稳步进展

摘要：

@@ 芯片制造厂有多种办法"指向"32nm及其工艺代高k金属栅电介质(HK+MG)CMOS.2008年在旧金山举行的国际电子器件会议(IEDM)上发表的相关论文表明:虽然"路径"不同,但一直在取得稳步进展.利用带金属栅高k不仅能恢复一定程度的"等比缩小",且能使栅漏(电流)减小到原来的1/25(nMOS)和1/1000(pMOS).

在线出版日期：2010-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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