在SiO2结构中掺Ge制得一种新的压电单晶

摘要：

@@ 对α-石英类材料的主要兴趣是由于其良好的压电性质,除α-石英本身外,还有一族”通式”为AⅢBⅤO4的化合物材料(此外A为Al,Ga,Fe,B;B为P和As)可用两个内相关角描述其结构畸变:内四面体跨角A-O-B,θ和四面体倾(斜)角δ.

机标关键词：SiO2、结构畸变、四面体、压电性质、石英、材料、化合物、兴趣、描述

分类号：TQ1;TB3

在线出版日期：2010-10-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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