SiC涂层石墨基座技术及产业发展研究

摘要：

1 碳化硅(SiC)涂层石墨基座基本情况
1.1 基本概念
SiC涂层石墨基座常用于金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备中支撑和加热单晶衬底的部件(图1).MOCVD设备是化合物半导体单晶衬底外延生长的研发及产业化关键设备,SiC涂层石墨基座的热稳定性、热均匀性等性能参数对外延材料生长的质量起到决定性作用,因此是MOCVD设备的核心关键部件.

机标关键词：sic涂层石墨基座、产业发展

分类号：TB333;F326.13;F426.7

在线出版日期：2022-09-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：58-60