国内氧化铟锡靶材厂商的机遇与挑战

摘要：

氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)靶材,是一种N型半导体材料.利用铟掺锡和形成氧空位,形成1020～1021/cm3的载流子浓度和10 ～ 30(cm3/vs)的迁移率,这个机理提供了在10 4(Ω·cm)数量级的低薄膜电阻率,所以ITO薄膜具有半导体的导电性能[1].借助其优异的透明导电性能、透明性及良好的加工性能,ITO导电膜得到高速发展和广泛的应用.我国早在新材料产业“十二五”重点产品中就已经把ITO靶材作为“十二五”攻关重点项目立项研究,前几年发布的《2014-2016新型显示产业创新发展行动计划》和《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录(2016版)》都明确将氧化物靶材列入有色金属电子材料发展重点,2018年9月工业和信息化部发布《重点新材料首批次应用示范指导目录(2018年版)》已将高密度ITO靶材列入先进基础材料.

在线出版日期：2020-06-16（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：54-57