观美日欧第3代半导体材料产业思中国发展之路

摘要：

以碳化硅（S i C）、氮化镓（G a N）为代表的第3代半导体材料具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率和高键合能等优点，能够满足现代电子技术对高温、高功率、高压、高频及抗辐射等条件的要求，在太阳能、半导体照明、智能电网等众多领域应用不仅可以减少一半以上的能量损失，而且可以使装备体积大大缩小（如笔记本电脑适配器可减小80%，一个电站将只有手提箱那么大），在国防安全、航空航天、新能源、光存储、石油勘探等多个领域有着广阔的应用前景。正是由于第3代半导体材料的优异性能、未来广阔的应用空间以及对国家安全、经济发展、节能环保等多个方面可能带来的巨大影响，使之成为各国竞相发展的战略高地。

机标关键词：美日欧、半导体材料、材料产业、应用前景、笔记本电脑、半导体照明、战略高地、石油勘探、漂移速率、能量损失、经济发展、节能环保、击穿场强、航空航天、国家安全、国防安全、高热导率、电子技术、新能源、碳化硅

分类号：F32;TP2

在线出版日期：2016-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：26-28