力争抢占第3代半导体产业战略制高点

摘要：

近年来，以氮化镓和碳化硅为主要代表的第3代半导体越来越受到全世界的关注，成为世界科技研究的热点和前沿。第3代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高及抗辐射能力强等优越性能，此外还具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点。

机标关键词：半导体、产业关联性、抗辐射能力、优越性能、科技研究、禁带宽度、击穿电场、碳化硅、热导率、交叉性、氮化镓、应用、学科、速率、前沿、电子

分类号：F29;F2

在线出版日期：2016-12-12（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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