相变存储器材料的研究进展和应用前景

摘要：

随着社会发展和科技进步，计算机在日常的工作和生活中起到至关重要的作用。进入信息时代，计算机要储存和处理的信息量越来越大，传统的储存器已经不能满足人们日益增长的需求。因此，研究和开发高速度和大容量存储器具有重要的意义。目前，主流的存储器有以随机存储器（RAM，Random Access Memory）为代表的易失性（volatile）存储器和以闪存（Flash）为代表的非易失性（nonvolatile）存储器。随机存储器存取速度快但有易失性，闪存有非易失性但存取速度稍慢。理想的存储器应当具备非易失性和类似随机存储器的存取速度，同时功耗低、可靠性高。这正是推动新一代非易失性存储器快速发展的因素[1,2]。一些新型存储器如铁电存储器（FeRAM）、磁存储器（MRAM，Magnetic RAM）和相变存储器（PCRAM，Phase Change&nbsp；R A M）等各具特点，其中以相变存储器被认为最有可能取代当今主流存储器而成为未来存储器的主流产品。

机标关键词：相变存储器、材料、非易失性、随机存储器、存取速度、计算机、铁电存储器、主流产品、信息时代、社会发展、闪存、科技进步、磁存储器、储存器、信息量、可靠性、高速度、大容量、增长、器具

分类号：TP3;TN4

在线出版日期：2016-10-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：56-62