ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

摘要：

作为第3代新型宽禁带Ⅱ-Ⅵ化合物短波长半导体材料的氧化锌（Z n O），具有3.37e V的禁带宽度和较小的波尔半径（1.8n m）以及高达60meV的激子束缚能，可以使ZnO在室温下实现有效的激子发射，在制备蓝光或紫外光等光电器件上比氮化镓（G a N）更有优势，展现出更广阔的应用前景[1]。Z n O具有极高的c轴择优取向，本征ZnO具有极的高电阻，使它具有良好的压电常数与机电耦合系数，可应用于压电、声光等器件[2,3]。与其他半导体材料相比，ZnO具有无毒、原料易得、价格低廉等优势，因此受到国内外的广泛关注。为了使ZnO能达到到实际应用的要求，需要制备高质量ZnO的p-n结。尤其是高质量的n型和p型的ZnO单晶薄膜。

机标关键词：单晶薄膜、半导体材料、应用前景、机电耦合系数、激子束缚能、质量、择优取向、压电常数、实际应用、光电器件、宽禁带Ⅱ、禁带宽度、激子发射、紫外光、氧化锌、室温下、化合物、高电阻、短波长、氮化镓

分类号：TP2;TN2

在线出版日期：2016-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：50-55