宽禁带半导体AlN晶体发展现状及展望

摘要：

半导体材料与技术是现代信息技术发展的基石，以硅（S i）和砷化镓（G a A s）材料为代表第1代、第3代半导体技术，奠定了20世纪微电子和光电子工业的基础，极大地推动了社会的进步和变革。随着技术的发展，传统的Si和GaAs半导体器件性能已接近其材料本身决定的理论极限。因此第3代半导体材料(即宽禁带半导体材料，禁带宽度大于2.2e V )正日益受到人们的重视。

机标关键词：宽禁带半导体材料、晶体、材料与技术、半导体技术、器件性能、理论极限、禁带宽度、技术发展、电子工业、微电子、砷化镓、信息、基础、变革

分类号：TN3;TN1

在线出版日期：2016-03-11（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：18-23