10.3969/j.issn.1008-892X.2014.03.005
第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用
一、第3代半导体材料概述<br> 第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后,近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝(A l N)等宽禁带化合物半导体为代表,其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点,因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件,在光电子领域和微电子领域相比前2代半导体更具优势。
宽禁带半导体材料、光电器件、微电子领域、抗辐射能力、化合物半导体、大功率器件、击穿电场、高热导率、氧化锌、碳化硅、氮化铝、氮化镓、制作、速率、高频
TN3;TN1
2014-04-22(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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