第3代半导体材料在光电器件方面的发展和应用

摘要：

一、第3代半导体材料概述<br>　　第3代半导体材料是继第1代半导体材料和第2代半导体材料之后，近20年刚刚发展起来的新型宽禁带半导体材料。第3代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)和氮化铝（A l N）等宽禁带化合物半导体为代表，其具有高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及高抗辐射能力等特点，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，在光电子领域和微电子领域相比前2代半导体更具优势。

机标关键词：宽禁带半导体材料、光电器件、微电子领域、抗辐射能力、化合物半导体、大功率器件、击穿电场、高热导率、氧化锌、碳化硅、氮化铝、氮化镓、制作、速率、高频

分类号：TN3;TN1

在线出版日期：2014-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：18-20