第3代半导体材料GaN基微波功率器件研究和应用进展

摘要：

微波功率器件是指工作频段在300M～300G H z这个微波波段内的电子器件，主要用以实现微波功率的发射和放大、控制和接收等功能，是现代相控阵雷达、移动通讯基站等的核心部件。目前微波功率器件的主流产品主要基于第1代半导体材料硅（Si）、锗（G e）和第2代半导体材料砷化镓（G a A s）、磷化铟（I n P）。20世纪90年代，基于第3代宽禁带半导体材料氮化镓（G a N）的高频、大功率微波器件开始引起人们的关注，并在近十几年快速发展，尤其是基于GaN材料的高电子迁移率晶体管（H E M T）器件和电路，已经开始在某些领域取代GaAs器件。与第1代和第2代半导体材料相比，以GaN为代表的第3代宽禁带半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电场高、电子饱和漂移速度大、热导率高、抗辐射能力强等突出特点[1-3]，特别适合于制作高频、高压、高效、大功率微波器件，在军用和民用领域都具有广阔市场前景。

机标关键词：宽禁带半导体材料、微波功率器件、高电子迁移率晶体管、微波器件、大功率、饱和漂移速度、相控阵雷达、抗辐射能力、主流产品、通讯基站、市场前景、禁带宽度、件和电路、击穿电场、工作频段、高频、电子器件、砷化镓、热导率、磷化铟

分类号：TN3;TN4

在线出版日期：2014-04-22（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：13-17