电子材料

摘要：

日本低阻值n-AlGaN，电光转换效率提升15%日本名城大学和名古屋大学的研究人员已经生产了低阻值的n型氮化铝镓(n-AlGaN)。通过将n-AlGaN作为紫外LED的一部分，研究人员成功将电光转换效率(wall-plug efficiency)提升了15%左右。

机标关键词：转换效率、电光转换、低阻值、名古屋大学、效率提升、日本、人员、氮化铝、紫外、生产、名城

分类号：TN9;TN2

在线出版日期：2014-04-29（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：76-79