工作在亚阈区之纯MOS管电压基准的设计

摘要：

采用工作在亚阈值区的NMOS和源极耦合对的组合设计一种无三极管、无大电阻、无运放的,工作在亚阈区的纯MOS电压基准源.利用CSMC(华润上华)0.5μm BiCMOS工艺,采用Cadence spice软件仿真.测试结果显示,输出基准电压为1.520V,电路功耗仅200nA,在温度范围(-20℃～100℃)内的温度系数为31.30ppm/℃.

关键词：纯MOS管、电压基准、亚阈值区、源耦合对、温度系数

所属期刊栏目：27

分类号：TN433.01(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：贵州大学研究生创新基金资助项目理工 2012018

在线出版日期：2013-07-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：203-206