10.13682/j.issn.2095-6533.2017.04.009
400MHz~2.4GHz宽带低噪声放大器设计
采用0.15μtm砷化镓赝配高电子迁移率晶体管工艺,设计一款频率400 MHz~2.4 GHz宽带低噪声放大器.采用两级级联结构,将前级放大器的输入阻抗匹配到最佳噪声阻抗得到最小噪声;后级放大器采用负反馈结构得到较宽的工作频带;级间引入失配补偿方法,即在晶体管增益滚降处引入高频增益,使得放大器工作频带拓宽,提高带内平坦度.仿真结果表明,该低噪声放大器工作频率为400 MHz~2.4 GHz,频带内噪声系数为1 dB,增益为34 dB,增益平坦度为3.1 dB,回波损耗优于-10 dB,满足了低噪声、超宽带和高平坦度的要求.
低噪声放大器、噪声系数、增益平坦度
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TN702(基本电子电路)
国家自然科学基金资助项目61201044
2017-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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