一种宽带低功耗低噪声放大器电路设计

摘要：

采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低功耗电容交叉耦合低噪声放大器.利用电容交叉耦合结构使电路在不损失功耗的情况下提高电路有效跨导,采用宽增强技术有效的改变电路零极点位置以拓宽电路工作带宽.仿真结果表明,该低噪声放大器工作带宽为6.8 GHz,电路噪声系数为2.8 dB,功耗为5.35 mW,满足LNA电路的性能指标要求.

关键词：低噪声放大器、电容交叉耦合、跨导增强、低功耗、宽带宽

所属期刊栏目：22

分类号：TN722.3(基本电子电路)

在线出版日期：2017-05-23（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：69-72,76