低功耗2．45GHz射频识别模拟前端

摘要：

采用台湾积体电路制造股份有限公司的0．18μm互补金属氧化物半导体混合信号工艺，设计出一种应用于2．45 GHz的射频识别模拟前端芯片，并对射频识别芯片前端电路的关键性模块进行分析和改进，提出一种运用负温度系数电阻构成的带隙基准电路和一种运用延时电路来消除脉冲干扰的复位电路。仿真结果表明，所设计的射频前端芯片能够满足ISO 18000-4协议所提出的系统要求并且整体电路功耗小于1．5μW。

关键词：射频识别、低功耗、2.45 GHz、射频前端

分类号：TN492(微电子学、集成电路（IC）)

资助基金：国家自然科学基金青年基金资助项目61201044；陕西省自然科学基金青年基金资助项目2012JQ8020；西安邮电大学青年教师科研基金资助项目1010436

在线出版日期：2014-07-02（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共7页

页码：77-83