10.3969/j.issn.1007-3264.2009.01.013
低电压、高PSRR的带隙电压基准源
设计了一款高精度、低电源电压的CMOS带隙基准源,具有良好的电源抑制比.电路采用电流模结构和反馈控制实现了低电压、低功耗和高电源抑制比.基于0.25μm CMOS工艺,测试结果表明:在1V电源电压下,1KHz频率时.电源抑制比约为80dB,在0-70℃温度范围内,输出电压变化率不超过0.3%.
模拟电路设计、带隙基准源、电源抑制比、低电压
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TN402(微电子学、集成电路(IC))
2009-03-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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