10.3969/j.issn.1673-064X.2004.01.017
SiC晶须制备方法及应用
目前生产SiCw(碳化硅晶须)的方法主要有气相反应法和固体材料法两大类.气相反应法应用最为普遍的是气相沉积法(CVD法);固体材料法生产SiCw主要有VLS机理和VS机理.生产出的SiCw主要用作高强度、高硬度结构材料的增强、增韧.使用SiCw增强、增韧的材料,可广泛用于航空航天、军事和民用等众多工业领域.
碳化硅晶须、制备方法、气相反应法、固体材料法
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TB383(工程材料学)
2004-03-05(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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