SiGe-OI微环谐振器的滤波特性分析

摘要：

SiGe-OI微环谐振器是一种新型半导体材料的谐振器。本文根据传输矩阵法得到微环谐振器的传递函数，研究了上下载滤波器和上、下载端口的性能，分析了 SiGe-OI微环谐振器的滤波特性，以及耦合特性对滤波特性的影响。通过模拟软件建立SiGe-OI微环谐振器模型，主要对其结构参数、耦合系数、3 dB带宽和消光比等参数进行了分析，仿真了波导宽度、耦合间距、波长与耦合系数的关系，以及耦合系数对3 dB带宽和消光比的影响。最终给出了耦合系数的范围以及不同耦合系数下的滤波特性，为SiGe-OI微环谐振器的研究提供了理论参考。

关键词：绝缘层上锗硅、微环谐振器、滤波特性、耦合系数

所属期刊栏目：32

分类号：TN252(光电子技术、激光技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61204080；陕西省教育厅科研计划资助项目15JK1292；西安工程大学博士科研启动基金资助项目BS1128，BS1436；西安工程大学研究生教育“质量工程”资助项目15yzl10；陕西省普通高校重点学科建设专项资金建设项目2008169

在线出版日期：2017-03-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：443-448