量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区光致发光特性的影响

摘要：

研究了不同扩散温度下Zn杂质扩散诱导量子阱混杂对AlGaInP/GaInP有源区发光特性的影响规律.当扩散时间为20 min时随着扩散温度从520℃升高到580℃,激光器外延片扩散窗口处的光致发光谱波长蓝移量从13 nm增加到65 nm,且相对发光强度减小,但PL谱的半高宽变化复杂,既有增加又有减小.较高温度和较长时间的扩散条件会对有源区的发光特性造成灾变性破坏.

关键词：量子阱混杂、光致发光谱、半导体激光器

所属期刊栏目：28

分类号：TN304(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目61106043;陕西省教育厅科学研究计划基金资助项目09JK630;高等学校博士学科点专项科研基金资助项目20096118120009

在线出版日期：2012-06-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共6页

页码：39-44