SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器的研究

摘要：

在新材料SiGe-OI(绝缘层上锗硅)单模光波导的基础上,建立了符合单模光波导条件的SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器结构,分析了对称型Y分支光功率分配器的模式,并通过BPM模拟软件对SiGe-OI对称型Y分支光功率分配器进行了模拟,分析了光场强度、分支角度、分支过渡区长度以及附加损耗等之间的关系,选择的Y 分支光功率分配器过渡区长度L为1200 μm,光束被平均分配到两个分支中,出口处每束光的强度大约是入口处强度的50%,符合Y分支器的3 dB特性.该设计可以获得具有均匀输出特性,当分支角小于1°的时候,附加损耗小于0.5 dB的低损耗SiGe-OI对称型Y 分支光功率分配器.

关键词：绝缘层上锗硅、Y光功率分支器、模式

所属期刊栏目：26

分类号：TN252(光电子技术、激光技术)

资助基金：陕西省自然科学基金资助项目2009JQ8014;深圳大学省、部重点实验室开放基金资助项目2007002

在线出版日期：2011-01-27（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：292-296