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10.3969/j.issn.1006-4710.2009.04.005

GaP晶体辐射太赫兹波物理机制的理论研究

引用
基于耦合场量子的角度研究GaP晶体辐射太赫兹波的物理机制,报道了一种分析非线性光学晶体产生太赫兹波的方法.GaP晶体产生太赫兹波的物理基础在于它的耦合场量子色散曲线.采用了密度泛函理论,并结合耦合量子色散关系,得到GaP晶体的耦合场量子色散曲线.当散射角为2°~11°时,色散曲线的一部分落在太赫兹频段(2.5~9.1THz),表明了GaP晶体在理论上能够辐射出频率范围为2.5~9.1THz的宽带太赫兹电磁波.

耦合场量子、太赫兹波、拉曼散射、GaP晶体

25

O434.13;O434.14(光学)

国家自然科学基金资助项目60971015, 10390160,60771053;陕西省教育厅科学研究计划资助项目8JK402;西安理工大学高学历人员科技启动基金资助项目108-210801;西安理工大学科学研究计划A类资助项目108-210703

2010-04-09(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)

共4页

400-403

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西安理工大学学报

1006-4710

61-1294/N

25

2009,25(4)

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