10.3969/j.issn.1006-4710.2009.01.002
ZnO-TiO2复合半导体的制备与光催化性能
采用溶胶-凝胶法制备了掺杂Zn2+的TiO2复合半导体,用X射线衍射和拉曼光谱对其微晶结构进行表征,并掺杂不同金属离子对复合半导体进行调变.以活性艳红K-2BP为模型降解物,在固定催化剂投加量、通气量和pH的条件下,考察了Zn2+与Ce4+、La3+、Fe3+掺杂量对ZnO-TiO2光催化活性的影响.结果表明,Zn2+掺杂使TiO2衍射峰宽化、蓝移且峰强减弱,晶粒径减小.当Zn2+掺杂量为20.0%时,对活性艳红30 min的降解率为97%,表观反应速率常数k值达到了0.133 min-1,为TiO2的1.4倍.La3+、Fe3+、Ce4+掺杂可提高ZT的活性,其中,当La3+掺杂量为0.5%时,k值为ZT的1.4倍.
氧化锌、氧化钛、复合半导体、光催化活性、活性艳红
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O643;X703(物理化学(理论化学)、化学物理学)
国家自然科学基金资助项目50579061;陕西省教育厅专项基金资助项目07JK248
2009-06-03(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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