应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性研究

摘要：

SiGe SOI p-MOSFET在高频、高速、低功耗、抗辐射方面具有极大的优势.但二氧化硅埋层较低的热导率以及SiGe材料较低的热稳定性,使器件内部自加热效应的减弱或消除成为提高器件温度特性的关键因素.对应变SiGe SOI p-MOSFET温度特性机理进行研究,给出了三种缓解MOSFET器件内部自加热效应的结构,并对其效果进行对比分析.结果表明:DSOI结构不适宜于低压全耗尽型SOI器件;Si3N4-DSOI结构对自加热的改善幅度较小;Si3N4埋层结构效果最好,尤其在低温领域改善更为明显.

关键词：自加热效应、热稳定性、驱动电流

所属期刊栏目：24

分类号：TN313+.4(半导体技术)

资助基金：国家自然科学基金资助项目50477012;高等学校博士学科点专向科研基金资助项目20050700006;西安理工大学优秀博士学位论文研究基金

在线出版日期：2009-03-25（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：385-389