10.3969/j.issn.1006-4710.2007.04.009
单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟
建立了多隧道结单电子存储器存储时间的Monte Carlo模拟模型,重点分析了器件的工作温度、隧道结电容和隧道结数目等因素对单电子存储器存储时间的影向,给出了用Monte Carlo模拟方法模拟单电子存储器存储时间的模拟流程和方法.计算结果表明,当温度越低、隧道结电容越小、电路中隧道结的数目越多时,存储时间越长,器件工作越稳定.
单电子存储器、Monte Carlo模拟、存储时间
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TN3024(半导体技术)
陕西省教育厅计划04JK250;西安理工大学校特色研究基金210402;高学历人才基金220410
2008-05-13(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
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