感应加热线圈对PVT法生长大直径SiC晶体的影响

摘要：

采用有限元分析法,系统地研究了用PVT法制备大尺寸SiC晶体生长装置中感应加热线圈的不同高度和匝间距对晶体生长温度场的影响;获取了通过增大线圈匝间距和适当提高线圈高度可使系统加热效率降低、晶体生长速率减小,但同时却有利于SiC粉料有效升华的结论.此结论同样适用于AlN、GaN等半导体材料的制备.

关键词：PVT法、SiC粉源、温度场、温度梯度

所属期刊栏目：23

分类号：O471.4(半导体物理学)

资助基金：陕西省重大项目2004K07-G9;西安理工大学校科研和教改项目

在线出版日期：2007-12-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：83-86