PSD光电位置传感器的实现及SOI结构研究

摘要：

分析了高灵敏度光电位置传感器(PSD)的设计和工艺制作过程,给出了器件制作工艺流程.对制作的器件进行了参数测试,测试结果为:响应波长为600～1200nm,峰值响应波长为760nm,位置分辨能力为5 μm,位置探测误差为±50 μm,暗电流为1.4×10-10A(VR=-5 V),峰值灵敏度为0.8634 A/W.同时为提高器件的响应速度,提出了基于SOI技术的PSD器件结构.

关键词：光电位置传感器、电极、灵敏度、位置分辨率、工艺、线性度、SOI

所属期刊栏目：21

分类号：TN29;TP212.14(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2005-11-03（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共5页

页码：236-240