3C-SiC纳米粉烧结制备多孔碳化硅的研究

摘要：

研究了用3C-SiC纳米粉末压制成坯后烧结制备多孔碳化硅的温度和时间工艺参数,采用扫描电子显微镜(SEM)分析了烧结温度和时间对烧结样品平均孔径尺寸的影响,采用X射线衍射(XRD)分析了烧结样品的结构.研究结果表明,在100 kPa压力的氩气气氛中和1600℃4 h 30 min～4 h 50 min的烧结条件下,烧结样品的主要结构是3C-SiC,其他晶型基本消失;烧结样品具有大量的纳米孔,其平均孔径约为80～90 nm.

关键词：碳化硅纳米粉、烧结、多孔碳化硅、纳米结构

所属期刊栏目：20

分类号：TN304.05;TN304.07(半导体技术)

在线出版日期：2005-03-09（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共3页

页码：379-381