固相烧结多孔碳化硅的光致发光及电阻率

摘要：

碳化硅粉末经压制成型后,在高温常压下固相烧结制成多孔碳化硅样品.用紫外激光对样品激发,样品的光致发光谱在低温下在2.02 eV位置出现一发光主峰,在2.13 eV位置出现一微弱肩峰;在室温下发光峰位置有所蓝移.样品的电阻率随着烧结温度的上升而上升,随着成型压力的升高而降低.发光来自缺陷态.

关键词：多孔碳化硅、烧结、光致发光、电阻率

所属期刊栏目：19

分类号：TN304.05;TN304.07(半导体技术)

在线出版日期：2003-10-24（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

页数：共4页

页码：120-123