高倍增GaAs光电导开关中的单电荷畴

摘要：

给出了高倍增SI-GaAs光电导开关在临界光能、电场阈值触发条件下的瞬态光激发电荷畴现象的实验结果，进一步讨论了生成畴的光、电阈条件，提出了脾类似于耿畴的单极电荷畴的物理模型来描述高倍增GaAs光电导开关中的Lock-on效应。分析了单极电荷畴形成和国辐射发光的物理过程，并对Lock-on效应的典型现象作了物理解释。
（将发表在《西安理工大学学报》2001 Vol.17 No.2）

机标关键词：光电导开关、关中、单极电荷畴、西安理工大学、效应、物理模型、物理解释、物理过程、辐射发光、触发条件、光激发、阈值、瞬态、实验、描述、临界、光能、电场、畴形

所属期刊栏目：17

分类号：TN2(光电子技术、激光技术)

在线出版日期：2004-01-08（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）

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