10.3969/j.issn.1006-4710.1998.04.012
高输入阻抗达林顿晶体管的优化设计
提出了VDMOS和双极晶体管复合而成的达林顿功率晶体管结构和工艺参数的优化设计方法, 建立了设计模型. 经验证设计结果和实验结果基本吻合. 该研究对开发此类器件具有参考价值.
高输入阻抗、达林顿、最佳设计
14
TN32(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
388-393
点击收藏,不怕下次找不到~
10.3969/j.issn.1006-4710.1998.04.012
高输入阻抗、达林顿、最佳设计
14
TN32(半导体技术)
2004-01-08(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
共6页
388-393
国家重点研发计划“现代服务业共性关键技术研发及应用示范”重点专项“4.8专业内容知识聚合服务技术研发与创新服务示范”
国家重点研发计划资助 课题编号:2019YFB1406304
National Key R&D Program of China Grant No. 2019YFB1406304
©天津万方数据有限公司 津ICP备20003920号-1
违法和不良信息举报电话:4000115888 举报邮箱:problem@wanfangdata.com.cn